مواد جامدی که با الیاف مسلح می‌شوند معمولاً بصورت جامداتی همگن مدل می‌شوند که در راستای الیاف قابلیت انبساط ندارند. مشخصه الیاف میدان بردار مماسی واحد N(x) در وضعیت اولیه است که با جسم تغییرشکل می‌دهد، در نتیجه با میدان بردار مماسی n(x) پس از تغییر شکل شناخته میشود. ماده در راستای الیاف غیرقابل‌انبساط است [...]
موجبرهای پلاسمونیک توجه زیادی را از سوی محققان در سالهای اخیر به خاطر پتانسیل برای هدایت و دستکاری نور در مقیاس های زیر طول موج جلب نموده اند [3-،1].همانطور که به موج های پلاسمون سطحی هدایت کننده توجه میشود (SPWs) ،عناصر فوتونیک مختلف با انواع شکلهای هندسی معرفی شده اند و مورد تحقیق قرار گرفته [...]
در سال های اخیر، اثر تداخل کوانتومی یکی از موضوعات داغ در فیزیک تبدیل شده است، چرا که بسیاری از پدیده های فیزیکی مانند شفافیت ایجاد شده به صورت الکترومغناطیسی (EIT) و جذب الکترومغناطیسی (EIA) ، مربوط به اپتیک کوانتومی و فیزیک هسته ای می باشند. EIT از تداخل کوانتومی بین میدان های پالس و [...]
گرافن، یک صفحه از اتم های تنهای کربن است که به تازگی از توده گرافیت جدا شده است. نانو نوارهای گرافنی (GNRs)، نانوساختارهای شبه تک بعدی و نوارهای باریک گرافن (معمولا <20 نانومتر) همه مواد امیدوار کننده برای برنامه های کاربردی نانو الکترونیک می باشند. تعداد فزاینده ای از مطالعات روی گرافن با خواص فوق [...]
Cu2ZnSnSe4 (CZTSe)، مواد فاقد ایندیوم، برای کاربردهای فتوولتایی نوید بخش می باشند. این ترکیب، ساختار کریستالی مکعب مرکز پر دارد و از سنگ معدن CuInSe2، از طریق دو بار جانشینی منظم با روی و قلع مشتق می شود. این کار می تواند برای مثال از ایجاد توالی صفحات (001)، . . ./Cu+Zn/Cu+Sn/. . و بنابراین [...]
بهینه سازی جریان قدرت راکتیو برش عرضی ولتاژ را بهبود می بخشد و همچنین هدر رفت قدرت فعال را به کاهش می دهد. جریان قدرت راکتیو در یک سیستم قدرتی از طریق ولتاژهای ژنراتور، موقعیت اتصال وسط ترانسفورماتور و منابع قابل سوئیچینگ VAR می تواند کنترل کرد. یک ترکیب معینی از این ولتاژ های ژنراتور، [...]
پیشرفت های اخیر در تکنولوژی رشد نیمه رساناهای نیترید III- منجر به توسعه دستگاه های برقی AlGaN / GaN برای استفاده از تقویت کننده های فرکانس بالا به منظور ارتباطات همراه و ماهواره ای و برنامه های کاربردی دیگر، از قبیل دیسک و سنسورهای عمل در محیط های خشن شد. از آنجا که GaN دارای [...]
در سه دهه گذشته توجه بسیاری معطوف انتقال حرارت در حفره های مملو شده از سیالات گشته است. تحقیقات متعددی در گذشته بر روی جریان حفره با درپوش یا مرز متحرک و انتقال حرارت با توجه به ترکیبی از گرادیان های درجه حرارت اِعمال شده و پیکربندی های حفره انجام پذیرفته است. دلیل این امر [...]
امکانات برای میکروسکوپ های نیروی اتمی با سرعت بالا (AFM) به صورت محسوسی توسط گروه های مطالعاتی مختلف از دهه ی 1990 نشان داده شده است . پیشرفت های محسوس در زمینه ی تکنولوژِ در این زمینه موجب شده است که سنسور های پایه با نویز کمتر، سرعت بیشتر، اسکنر هایی با دقت بالاتر و [...]
جریان های پتانسیل دارای خواص ذاتی نظیر خطوط جریان مسطح است که با یکدیگر یا با اشیا محیط برخورد نمی کنند. علاوه بر این، آنها به اندازه سایر روش های توابع پتانسیل از مشکل حداقل نسبی رنج نمی برند. بنابراین، آنها برای طراحی و جستجوی مسیر بدون برخورد در ربات ها، وسایل زمینی و زیردریایی [...]
در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل میگیرد اگر لایه های مجاور با ناخالصی های نوع p آلاییده شده باشند حفرههای لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی میروند و تشکیل گاز حفرهای دو بعدی [...]
با ظهور سیستم های نانو الکترومکانیکی ([1] NEMS) و توسعه سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) ، درک میکرو مکانیسمی رفتار تغییر شکل مواد در سطح نانومتری به فوریت مورد نیاز است. علاوه بر این، عناصر میکرو ساختاری مورد استفاده در سیستم های میکروالکترومکانیکی (MEMS) تقریبا عاری از نقص هستند [2]. بنابراین بررسی روند تغییر شکل و [...]